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三国群英传7-Intel大连公司QLC 3D NAND存储芯片产量破1000万
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简介自2018年底以来,Intel公司的中国大连工厂已经累计生产QLC NAND芯片超过1000万个。自2018年底以来,Intel公司的中国大连工厂已经累计生产QLC NAND芯片超过1000万个。英特 ...
自2018年底以来,片产三国群英传7Intel公司的连公量破中国大连工厂已经累计生产QLC NAND芯片超过1000万个。
英特尔Intel大连公司(Fab 68)是存储芯英特尔全球的第一个存储器芯片工厂,是英特尔全球最先进的存储器生产基地之一,主要产品是片产英特尔第一代代 3D NAND 芯片。
详细信息:
英特尔半导体(大连)有限公司成立于2006年06月06日,连公量破注册地位于辽宁省大连经济技术开发区淮河东路。存储芯
主要经营范围是片产:半导体集成电路产品制造、封装测试、连公量破加工、存储芯三国群英传7仓储、片产销售自产产品和售后服务;高科技信息领域内的连公量破与半导体集成电路产品和技术有关的研发、中试;提供安装、存储芯测试、片产维护、咨询、技术解决方案等技术服务(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动。)
英特尔公司(Intel)在2019年4月推出了具有固态存储的英特尔Optane内存H10。该产品将Optane技术的响应能力与QLC 3D NAND技术的M.2存储能力相结合。
英特尔客户SSD战略规划和产品营销总监Dave Lundell表示:“ 许多人都在谈论QLC技术,但英特尔已经大规模交付了它。” “ 我们已经看到了对独立QLC SSD(英特尔SSD 660p)的高性价比容量以及Optane Technology + QLC解决方案(Intel Optane Memory H10)的性能的强烈需求。“
相关信息:
Intel QLC 3D NAND用于 Intel SSD 660p, Intel SSD 665p和 Intel Optane Memory H10 存储解决方案。;
这些QLC驱动器每个单元具有4位,并以64层和96层NAND配置存储数据;
该公司在过去十年中一直在开发这项技术。在2016年,其工程师将业已证明的浮栅(FG)技术的方向更改为垂直,并将其包裹在栅的全方位结构中。最终的TLC技术可以存储384Gb /裸片。在2018年,3D QLC闪存成为现实,它具有64个层(每个单元4位),能够存储1,024Gb /管芯。在2019年,英特尔迁移到96层,从而降低了总体面密度;
QLC是英特尔总体存储产品组合的一部分,该产品组合包括客户端和数据中心产品。
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